徐照興 分析師  個人專區

#0826(三)
#台積電大聯盟向下紮根
#淺談EUV
#TG開放加人囉!
#盤中直點名類股及個股
#盤後應證
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隨者護國神山台積電的大漲
買地,技術論壇
近些年來EUV光刻這個詞大家應該聽得越來越多,
有點複雜,我們來淺談一下
主要在半導體高階製程要用到它
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早期晶片可以容納 #數千個微米 大小的電晶(Transistor),
目前最先進的晶片則是由 #數十億個電晶體 組成的複雜網絡,其中最小的只有10奈米。
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10奈米有多小?
ASML舉日常生活例子,就是:
在閱讀剛剛那一句話的時候,你的指甲就大約生長了10奈米。(很扯吧)
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微影製程即是:用一台微影設備(Lithography),
也稱作曝光機,也可以算是一種掃描儀器,
將 #光 透過 #光罩(Mask或Reticle),
並利用ASML微影設備的光學系統
將 #投影 縮小 並 聚焦在 #感光矽晶圓 上。
.
當光罩上的線路圖案(Patterns)轉印完後,
機台會稍微移動晶圓,
並將後續的線路圖案繼續轉印在同一片晶圓上。
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這個過程會一直重複直到晶圓佈滿線路圖案,
便完成晶片的一層。
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要生產出完整的晶片,這個過程必須重複100次以上,
將線路圖案疊加,形成積體電路(Integrated Circuit)。
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線路圖案的尺寸大小取決於晶片各層,也就是說,晶片各層的曝光需要不同類型的微影設備。
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ASML的EUV極紫外光機台專門曝光最複雜、
精細的線路圖案,
.
7nm以及以上的工藝需要EUV光刻機,
同樣的7nm工藝,
使用EUV光刻技術之後晶體管密度和
性能都變得更好,
根據台積電給出的數據,
相較於初代7nm工藝,
7nm EUV(N7+)可以提供1.2倍的密度提升,
同等功耗水平下提供10%的性能增幅,
或者同性能節省15%的功耗。
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——————————————————————————–
科普:
矽砂如何變CPU(圖一)
紫外線曝光是其中一步,
而這個步驟就是由 #光刻機 所執行的,
它是晶片生產的核心,
也是這個步驟決定了晶片的製程工藝


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光刻的工作原理,
大家可以想像一下 #膠片照片 的沖洗,
#掩膜版 就相當於 #膠片,
而 #光刻機 就是沖洗台,
它把掩膜版上的晶片電路一個個的複製到 #光刻膠薄膜上,然後通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。

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相關概念股有:3680家登、6196帆宣


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《此為龍捲風操盤戰隊內部研究報告,投資人須審慎評估自身可承擔風險,盈虧自負》
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